ترانزیستور ماسفت G1N65R035TB-N

ماسفت G1N65R035TB-N مشابه tp65h035ws مناسب پاور P222B p222C

ترانزیستور ماسفت G1N65R035TB-N اورجینال ساخت شرکت GaNext، یک ترانزیستور با بسته‌بندی TO-247-3 است که جهت مصارف عمومی طراحی و ساخته شده است. این ترانزیستور دارای کارایی بالا و مطابق با استاندارد RoHS می‌باشد. ترانزیستور فت G1N65R035TB-N یک ترانزیستور نیترید گالیم میباشد که راندمان بسیار بالایی دارد. این ترانزیستور FET در پاور های ماینر P221B و P222B مورد استفاده قرار میگیرد G1N65R035TB مشخصات مشابهی با ترانزیستور TP65H035G4WS دارد .

ویژگی های ترانزیستور ماسفت G1N65R035TB-N اورجینال

• دارای یک دروازه ورودی قوی همراه با آستانه تحمیل بالا بدون نیاز به درایو گیت منفی، و تحمل ولتاژ ورودی تکراری بالا ± 20 ولت.
• سرعت ON/OF سریع برای کاهش تلفات متقاطع.
• QG کم و درایو گیت ساده برای کمترین مصرف درایور در فرکانس های بالا.
• کمترین VF رسانش معکوس خارج از حالت در بین تمام FET های SiC و GaN، که تلفات کم را در طول زمان مرده ممکن می سازد.
• QRR پایین برای برنامه های کاربردی پل هارد سوئیچینگ عالی.
• تحمل سنبله بالای 800 ولت قابلیت اطمینان را بهبود می بخشد.

چرا از این ترانزیستور استفاده کنیم ؟

• دستیابی به بالاترین راندمان تبدیل.
• فرکانس های بالاتر را برای منابع تغذیه فشرده فعال می کند.
• هزینه محصول نهایی و صرفه جویی در اندازه به دلیل کاهش بودجه حرارتی.
• بهبود ایمنی و قابلیت اطمینان به دلیل دمای کار خنک تر.

کاربرد ها:

• باک/بوست نیم پل، مدار PFC قطب توتم، یا مدار اینورتر.

• تغییر فاز با راندمان بالا/فرکانس بالا، LLC، یا سایر توپولوژی های سوئیچینگ.